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  • CVD合成石英HOSQ-021
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  • CVD合成石英HOSQ-021

    以四氟化硅為原料，采用CVD法制造，具有大尺寸、低雜質含量等特性，光學均勻性好，可用于LCD光掩膜基板、高能激光光學元件和半導體石英器件的制造。

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商品描述

以四氟化硅為原料，采用CVD法制造，具有大尺寸、低雜質含量等特性，光學均勻性好，可用于LCD光掩膜基板、高能激光光學元件和半導體石英器件的制造。

產品指標


型號

金屬雜質

（ppb））

羥基

（ppm）

均勻性條紋

應力雙折射

（nm/cm）

尺寸

（mm）

波段

（nm）

HOSQ-021＜500＜1000NS1D＜5D1000190-2500

備注：可根據使用尺寸定制生產方案


金屬雜質含量


單位：ppb

AlBaCaCrCoCuFeKLiMgMn
NiNaTi含金量
＜50＜5＜50＜2＜5＜5＜5＜20＜5＜5＜5＜5＜40＜5＜500


光學非均勻性與應力雙折射


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  • VAD合成石英HOSQ-032

    以四氟化硅為原料，采用VAD法制造，具有低羥基、低金屬雜質含量等特性，吸收系數(shù)低，光學均勻性好，可用于IC光掩膜基板、工業(yè)激光聚焦準直鏡、激光光纖端帽、高能激光光學元件的制造。

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    以四氟化硅為原料，采用OVD法制造，具有低羥基、低金屬雜質含量等特性，吸收系數(shù)低，光學均勻性好，可用于IC光掩膜基板、工業(yè)激光聚焦準直鏡、激光光纖端帽、高能激光光學元件的制造。

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    以四氟化硅或有機硅為原料，采用VADD法制造，具有低羥基、低金屬雜質含量等特性，光學均勻性好，可用于LCD光掩膜基板、工業(yè)激光場鏡、聚焦準直鏡、激光光纖端帽、保護鏡的制造。

    ￥1800.00
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  • OVD合成石英HOSQ-011

    以四氟化硅或有機硅為原料，采用OVD法制造，具有低羥基、低金屬雜質含量等特性，光學均勻性好，可用于LCD光掩膜基板、工業(yè)激光場鏡、聚焦準直鏡、激光光纖端帽、保護鏡的制造。

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